2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月10日(金) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

塩貝 純一(東北大)

09:30 〜 09:45

[10a-S203-3] PrOエピタキシャル薄膜における多様な磁性相の制御

清水 宙一1、齋藤 大地1、神永 健一2,3、岡 大地1、福村 知昭1,3,4,5 (1.東北大理、2.東北大院工、3.東北大AIMR & Core Research Cluster、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

キーワード:希土類単酸化物、RKKY相互作用、パルスレーザ堆積法

パルスレーザー堆積法を用いて成膜条件の精密な制御を行い、キャリア濃度と膜厚を変化させたPrOエピタキシャル薄膜を合成し、電気・磁気特性を評価した。弱強磁性と近藤効果が競合するPrOにおいて、遍歴電子を媒介とするRKKY相互作用はキャリア濃度と膜厚を変化させることで、その大きさを制御することができると考えられる。本研究では、RKKY相互作用と近藤効果の大きさを相対的に変化させ、複数の磁性相の制御を実現した。