[10a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10a-S203-8] 電界効果を利用したフッ化反応による酸フッ化物単結晶薄膜の合成

〇難波 杜人¹、Li Haobo¹、高津 浩¹、陰山 洋¹ (1.京大工)

キーワード：薄膜、ペロブスカイト、イオン液体

ペロブスカイト酸フッ化物薄膜を得る手法として低温トポケミカル合成が主流であるが、アニオン組成を制御できないのが課題である。そこで本研究ではイオン液体を用いた電界効果に着目した。SrCoO_2.5薄膜に対して負のゲート電圧を印加することで、酸化的にフッ化物イオンを挿入したSrCoO_2.5F_0.5の単結晶薄膜を得ることに成功したと考えられる。発表では得られた酸フッ化物薄膜の構造、電気的・磁気的物性について報告する。