[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-1] GaN中の点欠陥が光学特性に与える影響の解明

〇(M2)大畑 智嗣¹、河村 貴宏^1,2、今西 正幸²、吉村 政志²、森 勇介² (1.三重大院工、2.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、点欠陥、光学特性

GaN はバンドギャップが約 3.4 eV と大きく，本来は無色透明の結晶である．しかし，アモノサーマル法や Oxide Vapor Phase Epitaxy（OVPE）法によって成長した GaN 結晶は多くの欠陥や不純物を含んでおり，その影響が結晶の着色に現れる．結晶品質の改善や特性の制御には欠陥が材料特性に与える影響を理解することが重要である．そこで本研究では第一原理計算を用いて点欠陥と複合欠陥を含む GaN の電子構造を解析し，欠陥が GaN の光学特性に与える影響を調べた．