2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

有田 宗貴(東大)、片山 竜二(阪大)、石井 良太(京大)

16:00 〜 16:15

[10p-N101-12] HEATE法による可視領域メンブレン型トポロジカルフォトニック結晶の作製

米田 幸司1、工藤 大樹1、倉邉 海史1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

キーワード:窒化物半導体