[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-N101-15] Eu添加GaNにおけるEu発光量子効率の素子サイズ依存性

〇石原 聡啓¹、市川 修平^1,2、Dolf Timmerman¹、岩谷 孟学¹、芦田 昌明³、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.阪大基礎工)

キーワード：窒化ガリウム、希土類、マイクロLED

次世代のディスプレイ技術として近年「マイクロLED」が注目されているが、現行のGaN系LEDはサイズの減少に伴う表面再結合の顕在化により、発光効率が大幅に低下することが報告されている。これに対し、希土類添加半導体は特殊な発光機構を有するため、表面再結合による効率低下を抑制できる可能性がある。本研究では、GaN:Eu薄膜に対して微細加工を施し、Eu発光に関する量子効率のサイズ依存性を評価した。