[10p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-N101-18] Variation of radiative/non-radiative recombination rates and improvement of internal quantum efficiency in surface plasmon emission enhancement of polar/semi-polar InGaN/GaN

〇Kento Ikeda¹, Kanata Kawai¹, Tetsuya Matsuyama¹, Kenji Wada¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo², Koichi Okamoto¹ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:Plasmonics, InGaN/GaN, Internal Quantum Efficiency

我々は以前，極性面/半極性面GaN上に成長させたInGaN/GaN量子井戸の青色発光の表面プラズモン(SP)共鳴による発光増強に成功した．今回，時間分解PLの温度依存性を測定し， SP共鳴による内部量子効率の改善に加えて，輻射・非輻射再結合速度に与えるSP共鳴の影響を見積もることで，より詳しく発光増強機構を解析したので報告する．