[10p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-N101-4] Theoretical modeling of temperature-dependent PL spectra in InGaN quantum wells

〇Shunya Hakamata¹, Takashi Fujita¹, Atsushi Yamaguchi¹, susumu Kusanagi², Yuya Kanitani², Yoshihiro Kudo², Shigetaka Tomiya² (1.Kanazawa Inst Tech., 2.Sony Group Corp.)

Keywords:InGaN-QW, PL spectra, Theoretical model

InGaN量子井戸ではIn組成が空間的大きく揺らぐことで、PLピークの温度依存性がS字カーブを描くなど、PLスペクトルとその温度依存性が特徴的なものとなることが知られている。本研究では、In組成が系統的に異なるInGaN量子井戸試料のPLスペクトルの温度変化を測定し、その結果を説明する理論モデルの構築を試みた。このモデルを用いてPLスペクトルの温度変化をフィッティングした結果、全温度領域でフィッティングすることができ、パラメータも妥当なものが得られた。