[10p-N101-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-N101-6] In Composition Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum-Wells Measured by Simultaneous Microscopic Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy

〇Keito Mori¹, Yuchi Takahashi¹, Yuya Morimoto¹, Atsushi Yamaguchi¹, Susumu Kusanagi², Yuya Kanitani², Yoshihiro Kudo², Shigetaka Tomiya² (1.Kanazawa Inst. Tech., 2.Sony Group Corp.)

Keywords:InGaN, Internal Quantum Efficiency, Photoacoustic

近年，窒化物半導体の内部量子効率(IQE)を正確に推定する方法として，我々は光音響・発光同時計測法を提案している．
本研究では，In組成を系統的に変化させたInGaN量子井戸シリーズ(青色～赤色の計5枚)に対して，対物レンズを用いて本手法によるIQE測定を試みた．
推定された各試料のIQEを見ると，In組成が増大するほどIQEが低下するという妥当な結果が得られた．