2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

有田 宗貴(東大)、片山 竜二(阪大)、石井 良太(京大)

14:15 〜 14:30

[10p-N101-6] 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定

森 恵人1、高橋 佑知1、森本 悠也1、山口 敦史1、草薙 進2、蟹谷 裕也2、工藤 喜弘2、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.ソニーグループ)

キーワード:InGaN、内部量子効率、光音響

近年,窒化物半導体の内部量子効率(IQE)を正確に推定する方法として,我々は光音響・発光同時計測法を提案している.
本研究では,In組成を系統的に変化させたInGaN量子井戸シリーズ(青色~赤色の計5枚)に対して,対物レンズを用いて本手法によるIQE測定を試みた.
推定された各試料のIQEを見ると,In組成が増大するほどIQEが低下するという妥当な結果が得られた.