[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N101-9] AlGaN局在中心における単一励起子発光

〇有田 宗貴¹、HOLMES Mark^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生産研)

キーワード：AlGaN、量子ドット、単一光子

低Al組成Al_xGa_1-xN (x < 0.25) 混晶薄膜中に形成される局在中心について、単一励起子の発光を確認するために光子相関測定を行い、単一光子の発生を観測した。単一の励起子が局在可能な量子ドット様の構造であることが示唆される。