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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N102-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:30 N102 (口頭)

林侑介(阪大)、上杉謙次郎(三重大)

14:30 〜 14:45

[10p-N102-5] パルススパッタ堆積法によるSn添加GaN薄膜成長

〇西川祐人¹、上野耕平¹、小林篤¹、藤岡洋¹ (1.東大生研)

キーワード：スッパタリング、窒化ガリウム、ドーピング