[10p-N102-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-N102-6] スパッタリングを用いた窒化物発光素子用GaNのSiドーピングに関する検討

〇加來 勇人¹、韓 東杓¹、鈴木 敦志²、丹羽 一将²、神野 幸美¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.E&E)

キーワード：スパッタリング、Siドーピング