[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-1] AlAs-InAs挿入型量子カスケードレーザの結晶成長とレーザ特性

〇金子 桂¹、橋本 玲¹、角野 努¹、斎藤 真司¹、谷村 景貴²、高木 茂行²、迫田 和彰³ (1.東芝 CMC、2.東京工科大、3.物質・材料研究機構)

キーワード：量子カスケードレーザ、結晶成長、MBE

量子カスケードレーザ（QCL）の活性層は、InGaAs井戸層とInAlAs障壁層を交互に積層した多数の量子井戸構造で構成されている。MBE法を用いて、InAlAsとInGaAsにAlAsやInAsを挿入して平均的に組成を変化させる層構造を取り入れてQCLを作製した。結晶特性と発光特性を評価したので報告する。