[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[10p-N103-2] 中赤外面発光型量子カスケードレーザに向けたフォトニック結晶作製技術検討

〇橋本 玲¹、角野 努¹、金子 桂¹、斎藤 真司¹、姚 遠昭²、池田 直樹²、間野 高明²、黒田 隆²、迫田 和彰² (1.東芝生産技術センター、2.物質・材料研究機構)

キーワード：量子カスケードレーザ、フォトニック結晶、中赤外半導体レーザ

量子カスケードレーザ(QCL)は赤外域の小型光源として期待されており、我々はフォトニック結晶（PC）を利用する面発光型QCLの開発を進めている。素子作製工程を経る中でPCの設計値と出来上がり値に乖離が生じる。寸法差を生じさせる工程として有機金属気相成長法（MOCVD）による再成長埋め込み工程に着目し、この工程を分子線エピタキシー法（MBE）に変更することでの寸法差への影響を評価した。