[10p-N103-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [10p-N103-8] Lasing characteristics of GaInAsP membrane laser with enhanced lateral optical confinement by buried-ridge-waveguide structure

〇Naoki Takahashi¹, Weicheng Fang¹, Yoshitaka Ohiso¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.IIR)

Keywords:semiconductor laser, membrane laser

大規模集積回路上オンチップ光配線の実現に向けた光源として我々は半導体薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。これまでに、低消費電力動作可能な埋め込みリッジ導波路(BRW: buried-ridge-waveguide)構造を導入した半導体薄膜レーザの理論検討を行っており、今回、提案構造を導入したFabry-Perotレーザを作製し、その特性の評価を行ったのでご報告する。