[10p-N103-1~16] 3.13 半導体光デバイス

△ [10p-N103-8] リッジ埋め込み導波路構造による強横方向光閉じ込めGaInAsP半導体薄膜レーザの発振特性

〇高橋 直樹¹、方 偉成¹、大礒 義孝¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.科技創研)

キーワード：半導体レーザ、薄膜レーザ

大規模集積回路上オンチップ光配線の実現に向けた光源として我々は半導体薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。これまでに、低消費電力動作可能な埋め込みリッジ導波路(BRW: buried-ridge-waveguide)構造を導入した半導体薄膜レーザの理論検討を行っており、今回、提案構造を導入したFabry-Perotレーザを作製し、その特性の評価を行ったのでご報告する。