[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[10p-N104-13] Cat-CVD装置によるパッシベーションコンタクト構造の水素化処理

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Cat-CVD、水素化処理、パッシベーションコンタクト

パッシベーションコンタクトであるTNPConおよびTOPConに対し、Cat-H処理によりパッシベーション性能を向上させる検討を行った。いずれの構造においても、15分間程度のCat-H処理により、パッシベーション性能が向上することを確認した。また、TNPCon と比べてTOPConの方が、より大きなパッシベーション性能の向上を示した。