[10p-N104-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10p-N104-18] Fire-through Metallization on crystalline Si cell surfaces with Cat-CVD SiN_x

〇Toshiki Itasaka¹, Tomihisa Tachibana², Huynh Tu Thi Cam¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:c-Si solar cell, Cat-CVD

Cat-CVD法で屈折率を変化させて堆積したSiN_xに対してAg電極印刷とファイヤースルーを行い、接触抵抗の変化を調査した。TLM測定の結果、SiN_xの屈折率によらず、0.01–0.02 Ωcm²の範囲の接触抵抗が得られ、膜密度の高いCat-CVD SiN_x膜でもAg電極のファイヤースルーが可能であることを確認した。接触抵抗が要求値より若干高い原因は、フィンガーが途切れている箇所が存在するためと考えられる。