[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[10p-N104-18] Cat-CVDでSiN_xを堆積した結晶Siセル表面でのファイヤースルーによるコンタクト形成

〇板坂 年希¹、立花 福久²、Thi Cam Huynh Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、Cat-CVD

Cat-CVD法で屈折率を変化させて堆積したSiN_xに対してAg電極印刷とファイヤースルーを行い、接触抵抗の変化を調査した。TLM測定の結果、SiN_xの屈折率によらず、0.01–0.02 Ωcm²の範囲の接触抵抗が得られ、膜密度の高いCat-CVD SiN_x膜でもAg電極のファイヤースルーが可能であることを確認した。接触抵抗が要求値より若干高い原因は、フィンガーが途切れている箇所が存在するためと考えられる。