[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[10p-N104-2] ヘテロ接合型Rib-Si太陽電池の開放電圧制限要素

〇小長井 誠¹、高村 司¹、市川 幸美¹、齊藤 公彦² (1.都市大総研、2.福島大、共生理工)

キーワード：シリコン太陽電池、ヘテロ接合

薄膜化による開放電圧Vocの向上を狙って薄型Rib-Si太陽電池の研究を行っている。界面のパッシベーションには、a-Si:H/a-SiOx:H積層構造を用いた。厚さが50micronから120micronのRib太陽電池を試作しており、変換効率21%程度が得られた。開放電圧を制限する要素は大きく分けて、①バルク再結合、②界面再結合、③p層の正孔濃度、④小面積セルに固有の端部効果、などに分けられる。これらのVoc制限要素について、実験的、理論的に検討を加えた。