[10p-N104-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [10p-N104-9] RPD-induced recombination-active defects analysis with heat treatment dependency

〇(M1)Yuto Ifuji¹, Tomohiko Hara¹, Taichi Tanaka¹, Yoshio Ohshita¹ (1.Toyota Technol. Inst.)

Keywords:Reactive plasma deposition, Surface recombination velocity, Density of interface defect

キャリア選択コンタクト型太陽電池における透明導電膜として使用されるITOは反応性プラズマ蒸着法で堆積させると試料に与えるダメージがスパッタ法などと比較して少ない。しかし、本手法による堆積においても、表面再結合速度が増加し、実効少数キャリアライフタイムが低下する。この原因は界面欠陥の増加で説明され、その欠陥は低温アニールにより消滅するが、欠陥構造やその回復過程の議論は十分でない。