[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [10p-N104-9] 熱処理依存性によるRPD誘起の再結合欠陥解析

〇(M1)井藤 優斗¹、原 知彦¹、田中 汰一¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工大)

キーワード：反応性プラズマ蒸着法、表面再結合速度、界面準位密度

キャリア選択コンタクト型太陽電池における透明導電膜として使用されるITOは反応性プラズマ蒸着法で堆積させると試料に与えるダメージがスパッタ法などと比較して少ない。しかし、本手法による堆積においても、表面再結合速度が増加し、実効少数キャリアライフタイムが低下する。この原因は界面欠陥の増加で説明され、その欠陥は低温アニールにより消滅するが、欠陥構造やその回復過程の議論は十分でない。