[10p-N203-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10p-N203-3] Si/SiO₂界面におけるCu，Niの挙動に関する第一原理解析

〇永倉 大樹^1,2、末岡 浩治³、神山 栄治³ (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大情報工)

キーワード：半導体、ゲッタリング、酸素析出物