[10p-N203-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[10p-N203-4] Characteristic of Multi-element Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers for 3D-stacked CIS (Ⅰ)
- Model of Hydrogen Dissociation and Association in Projection Range of CH₂P-

〇Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:Hydrogen, Silicon wafer

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子イオンに燐を追加した多元素分子イオン注入技術の開発をおこなってきた。燐を追加した多元素分子イオン注入領域は炭化水素分子イオンと異なり、二つの水素のピークが観察されることを明らかとした。水素の拡散挙動の解析は多元素分子イオン注入ウェーハの特性の理解に重要である。そのため、燐を追加した多元素分子イオン注入領域における従来報告がない水素の捕獲・拡散挙動に関して、評価、解析をおこなったので報告する。