[10p-N204-1~17] 6.5 表面物理・真空

△ [10p-N204-1] 圧力勾配型スパッタ法による高品質ビスマステルル薄膜の形成

〇(M1)小森 貴文¹、米澤 進²、高尻 雅之¹ (1.東海大工、2.ケニックス(株))

キーワード：スパッタ、高真空、薄膜

現在エネルギーハーベスティング技術の発展とInternet of Things(loT)の普及により熱電材料の関心が集まっている。本研究では、圧力勾配を設けたスパッタリング法を用いて薄膜を成膜した。従来でのスパッタ法と比べ基板周辺が高真空状態となる。よってターゲット粒子の平均自由行程が大きくなるため、ターゲット粒子入射学度が比較的一様になる。このスパッタ装置を使用し、結晶構造を改善する事によって、熱電性能の向上を目的とした。