[10p-N204-1~17] 6.5 表面物理・真空

▼ [10p-N204-10] Active and inactive dopant sites in Si-doped GaN (0001)

〇JINGMIIN TANG^1,2、YAMASHITA Yoshiyuki^1,2 (1.NIMS、2.Kyushu Univ.)

キーワード：GaN, dopant