[10p-N221-1~6] 15.1 バルク結晶成長

[10p-N221-6] 坩堝内隔壁を用いたCZ法による金属Cu単結晶作成

〇高橋 和也¹、安藤 宏孝¹、熊谷 毅¹、藤井 高志^1,2、川又 透³、杉山 和正³、福田 承生¹ (1.㈱福田結晶研、2.立命館大、3.東北大金研)

キーワード：Cu単結晶、金属単結晶、結晶成長

Cuはグラフェン用基板として注目され、高品質かつ大面積エピタキシャル基板が要求されるようになってきた。これまでCZ法での大口径化が困難であったが、今回、二重坩堝式CZ法を応用し、直径2インチサイズの単結晶作成に成功した。