[10p-N301-1~8] 福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－

[10p-N301-5] SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究

〇牧野 高紘¹、武山 昭憲¹、小野田 忍¹、土方 泰斗²、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大)

キーワード：耐放射線性

SiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見として，市販されているSiC-MOSFETとSi-MOSFET に対してのガンマ線照射を行い照射後の各種電気特性の変動からそれぞれの放射線性の違いについて示し考察を行う．また，SiC-MOSFETを廃炉処理用ロボットへ実装することを想定し，より現実的な，環境条件を付加した耐放射線性試験とその結果の一端を紹介する．