[10p-N301-1~8] Decommissioning of Fukushima Dai-ichi Nuclear Reactors, and Fukushima's Rehabilitation -What and How We Can Contribute as JSAP Specialists?-

[10p-N301-5] A study of γ-ray irradiation effects for SiC MOSFETs

〇Takahiro Makino¹, Akinori Takeyama¹, Shinobu Onoda¹, Yasuto Hijikata², Takeshi Ohshima¹ (1.QST, 2.Saitama Univ.)

Keywords:Radiation tolerance

SiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見として，市販されているSiC-MOSFETとSi-MOSFET に対してのガンマ線照射を行い照射後の各種電気特性の変動からそれぞれの放射線性の違いについて示し考察を行う．また，SiC-MOSFETを廃炉処理用ロボットへ実装することを想定し，より現実的な，環境条件を付加した耐放射線性試験とその結果の一端を紹介する．