[10p-N303-1~19] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [10p-N303-11] Epitaxially laterally overgrown AlGaN quantum wells studied by time-integrated and -resolved photoluminescence under selective/non-selective excitation conditions

〇(M1)Shiki Tanaka¹, Ryota Ishii¹, Norman Susilo², Tim Wernicke², Michael Kneissl², Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ., 2.TU. Berlin)

Keywords:semiconductor

ELO基板上のAlGaN量子井戸に対して、選択および非選択励起条件下における低温と室温での時間積分・分解フォトルミネッセンス（PL）の励起強度依存性を測定した。測定結果から、低温においても、PL効率が励起強度に依存することが分かった。また、選択・非選択励起条件下におけるPL効率や発光寿命の違いから、それぞれの条件下での発光モデルを考えた。