2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月10日(金) 13:30 〜 18:30 N303 (口頭)

加藤 有行(長岡技科大)、舘林 潤(阪大)

16:15 〜 16:30

[10p-N303-11] 選択および非選択光励起によるELO基板上AlGaN量子井戸の深紫外発光特性評価

〇(M1)田中 志樹1、石井 良太1、Susilo Norman2、Wernicke Tim2、Kneissl Michael2、船戸 充1、川上 養一1 (1.京都大学、2.ベルリン工科大)

キーワード:半導体

ELO基板上のAlGaN量子井戸に対して、選択および非選択励起条件下における低温と室温での時間積分・分解フォトルミネッセンス(PL)の励起強度依存性を測定した。測定結果から、低温においても、PL効率が励起強度に依存することが分かった。また、選択・非選択励起条件下におけるPL効率や発光寿命の違いから、それぞれの条件下での発光モデルを考えた。