[10p-N303-1~19] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [10p-N303-12] Temperature dependence of circular polarization properties of electroluminescence in quantum dot spin-polarized light-emitting diode

〇Kohei Eto¹, Satoshi Hiura¹, Soyoung Park¹, Junichi Takayama¹, Agus Subagyo¹, Kazuhisa Sueoka¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:quantum dot, light emitting diode, spin transport

光電融合型情報処理基盤の実現に向け、スピン状態が長時間保持されるInGaAs量子ドットを光学活性層に持つスピン偏極発光ダイオードを作製し、円偏光発光特性の温度依存性を研究した。125 K から200 Kに温度を上昇させると発光の円偏光度は増加した。電流注入発光分光と時間分解発光分光を併用した独自手法により、半導体バリア層において電界誘起のスピン緩和が抑制されたためであることを明らかにした。