[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [10p-N303-12] 量子ドットスピン偏極発光ダイオードの円偏光発光特性の温度依存性

〇江藤 亘平¹、樋浦 諭志¹、パク ソヨン¹、高山 純一¹、スバギョ アグス¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット、発光ダイオード、スピン輸送

光電融合型情報処理基盤の実現に向け、スピン状態が長時間保持されるInGaAs量子ドットを光学活性層に持つスピン偏極発光ダイオードを作製し、円偏光発光特性の温度依存性を研究した。125 K から200 Kに温度を上昇させると発光の円偏光度は増加した。電流注入発光分光と時間分解発光分光を併用した独自手法により、半導体バリア層において電界誘起のスピン緩和が抑制されたためであることを明らかにした。