2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月10日(金) 13:30 〜 18:30 N303 (口頭)

加藤 有行(長岡技科大)、舘林 潤(阪大)

17:30 〜 17:45

[10p-N303-16] 半導体発光冷却の実現に向けたCsPbBr3/Cs4PbBr6バルク結晶からのアンチストークス発光評価

梶野 祐人1、大竹 柊司1、山田 琢己2、音 賢一1、金光 義彦2、山田 泰裕1 (1.千葉大院理、2.京大化研)

キーワード:ハロゲン化鉛ペロブスカイト、電子-格子相互作用、ナノ結晶

ハロゲン化鉛ペロブスカイトは、高品質な半導体材料として太陽電池やLEDなどの光デバイスへの応用が期待されている。また、0次元ペロブスカイトであるCs4PbBr6結晶内部に埋め込まれたCsPbBr3ナノ結晶は極めて高効率な緑色発光を示し、その光物性に注目が集まっている。本研究では、高効率発光材料のユニークな光デバイス応用である半導体発光冷却の実現可能性について、基礎光学特性及び発光励起スペクトル測定から議論した。