[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [10p-N303-9] Eu添加GaN系高Q値マイクロディスクの作製とEu発光特性評価

〇谷口 輝樹¹、舘林 潤^1,2、Dolf Timmerman¹、市川 修平^1,3、芦田 昌明⁴、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大量子情報・量子生命研究センター、3.阪大電顕センター、4.阪大基礎工)

キーワード：半導体、希土類

Eu添加GaN(GaN:Eu)はEu³⁺の4f殻内遷移に起因する鋭い発光スペクトルと高い温度波長安定性を有しており、GaN系材料で安定した赤色発光を得ることが可能である。本研究ではGaN:Euの更なる発光増強と発光指向性制御を目指すため微小共振器であるマイクロディスク(MD)に着目している。今回、作製プロセスを改善することで更なる高Q値のMD構造を成功し、詳細な発光特性評価を行ったのでこれを報告する。