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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

14:30 〜 14:45

△ [10p-N304-5] AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測

〇(D)今井友貴¹、牧原克典¹、田岡紀之¹、大田晃生¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：Si系量子ドット、AFM/KFM、電荷分布