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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

15:15 〜 15:30

△ [10p-N304-7] ポテンシャル揺らぎがHall移動度とドリフト移動度の乖離に与える影響

〇田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：炭化ケイ素、MOS界面、移動度