The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-N304-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Fri. Sep 10, 2021 1:30 PM - 4:15 PM N304 (Oral)

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[10p-N304-9] Calculation of Thermal Conductivity of Ge2Sb2Te5 by Molecular Dynamics

Junya Takizawa1, Motohiro Tomita1, Yuji Yamanaka1, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ.)

Keywords:phase-change material, molecular dynamics

次世代の不揮発性メモリ技術として、Ge-Sb-Te系化合物を利用した相変化メモリが注目を集めているが、相変化に熱を伴うことから、熱流の制御は相変化メモリの構造設計において重要な課題となっている。本研究では、古典的分子動力学法では前例のないGe-Sb-Te系の熱特性の評価のために、機械学習によって開発されたポテンシャルを用いてGe2Sb2Te5の熱伝導率計測を実施した。