[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-9] 分子動力学法を用いたGe₂Sb₂Te₅の熱伝導率計算

〇滝澤 諄弥¹、富田 基裕¹、山中 湧司¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工)

キーワード：相変化材料、分子動力学法

次世代の不揮発性メモリ技術として、Ge-Sb-Te系化合物を利用した相変化メモリが注目を集めているが、相変化に熱を伴うことから、熱流の制御は相変化メモリの構造設計において重要な課題となっている。本研究では、古典的分子動力学法では前例のないGe-Sb-Te系の熱特性の評価のために、機械学習によって開発されたポテンシャルを用いてGe2Sb2Te5の熱伝導率計測を実施した。