2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

2021年9月10日(金) 13:30 〜 18:15 N306 (口頭)

大野 恭秀(徳島大)、森山 悟士(東京電機大)

16:15 〜 16:30

[10p-N306-11] 結晶化Ni触媒を用いた多層グラフェンの直接析出成長
――― 高い配向性を持つグラフェンの生成 ―――

成塚 重弥1、中島 諒人1、村橋 知明1、樫尾 達也1、丸山 隆浩1 (1.名城大理工)

キーワード:グラフェン、結晶化Ni、直接析出法

多層グラフェンの成長には、Ni触媒が広く用いられる。グラフェンの析出成長において、Ni触媒層に粒界が存在すると、低温で炭素の粒界拡散が発生し析出するグラフェンが低品質となり問題となっている。そこで、我々は、結晶粒界のない単結晶Ni薄膜を作製し、高品質なグラフェンの直接析出成長を試みた。その結果、極めて狭いX線回折ピークを持つ、配向性の高い多層グラフェンが得られたので報告する。