[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

[10p-N306-15] CVDにおけるhBN/グラフェン積層ヘテロ構造成長の起源

〇影島 博之¹、Wang Shengnan²、日比野 浩樹³ (1.島根大院自然、2.NTT物性科学基礎研、3.関西学院大理工)

キーワード：グラフェン、hBN、成長理論

グラフェンは単層では0ギャップ半導体で多層にすると金属となり、絶縁性であるhBNはグラフェンの良い基板やゲート誘電膜となる。このため、これらのヘテロ構造を自由自在に作ることができれば、応用に様々な可能性をもたらすこともできる。我々は、このような成長方向の作り分けを実現する仕組みを明らかにするために、第一原理計算を用いた検討も行ってきた。今回は、Cダイマーの吸着に関しての追加検討結果に基づいて議論する。