[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

[10p-N306-18] 水素プラズマエッチングによるグラフェンジグザグ端の作製

〇松井 朋裕¹、越智 太亮¹、鎌田 雅博¹、横澤 峻元¹、向井 孝三²、吉信 淳² (1.アンリツARL、2.東大物性研)

キーワード：グラフェン、ジグザグ端、水素プラズマエッチング

グラフェンの端は構造によって異なる物性を示すので、ナノスケールのグラフェンデバイスでは端の制御が重要となる。水素プラズマエッチング(HPE)ではジグザグ(zz)型の端を優先的に作製でき、zz端でスピン偏極を示唆する結果も得られているが、端の終端状態に関してはこれまで研究されていなかった。本講演ではグラフェン、グラファイトのHPEと高分解能電子エネルギー損失分光による終端状態の研究について紹介する。