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[10p-N306-4] Twisted二層グラフェンvdWトンネル素子での電気伝導測定
キーワード:グラフェン、twisted二層グラフェン、トンネル伝導
Twisted二層グラフェン(TBG)とグラファイト(Gr)を1~2 nmの薄いh-BNを介して接合したTBG/h-BN/Grトンネル素子を作製し電気伝導測定を行った。グラフェン/h-BNの選択プラズマエッチングを用いて、トンネル伝導と面内伝導測定を同じ領域で行える素子を実現した。面内伝導ではツイスト角度θTBG~1.0°を反映した伝導が観測され、トンネル伝導ではTBGのフェルミ面や、Grのフェルミ面・h-BNの欠陥準位のエネルギーでのTBGの電子状態密度を反映したと考えられる測定結果を得た。