[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

[10p-N306-4] Twisted二層グラフェンvdWトンネル素子での電気伝導測定

〇瀬尾 優太¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^1,2、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：グラフェン、twisted二層グラフェン、トンネル伝導

Twisted二層グラフェン(TBG)とグラファイト(Gr)を1~2 nmの薄いh-BNを介して接合したTBG/h-BN/Grトンネル素子を作製し電気伝導測定を行った。グラフェン/h-BNの選択プラズマエッチングを用いて、トンネル伝導と面内伝導測定を同じ領域で行える素子を実現した。面内伝導ではツイスト角度θ_TBG~1.0°を反映した伝導が観測され、トンネル伝導ではTBGのフェルミ面や、Grのフェルミ面・h-BNの欠陥準位のエネルギーでのTBGの電子状態密度を反映したと考えられる測定結果を得た。