[10p-N321-1~3] 15.2 II-VI and related compounds

△ [10p-N321-3] Control of the MEE grown interface layer for ZnTe (110) thin film growth on sapphire r, S-plane nano-facet substrate(Ⅱ)

〇(M1)Shotaro Kobayashi¹, Kota Sugimoto¹, Kaito Tsuboi¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept.of.EE.&BS, 2.Waseda Univ. Lab.for Mat.Sci.&Tech)

Keywords:Semiconductor, Crystal growth, nano-facet

テラヘルツ検出素子応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指す。近年はr面とS面が周期的かつ連続的に並んだ構造をとるr,S面ナノファセット基板を用い、成長初期工程であるMEE成長層界面の制御を行っている。今回は得られた薄膜の、成長層界面のAFM観察結果及び、膜全体の結晶性についてのX線回折法(θ-2θ法、極点図法)による結果について報告する。