[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-1] CVD法によって作成したGeO₂膜の成膜温度依存性

〇澁谷 岳人¹、飯野 寛貴¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：Ge系半導体