[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-2] プラズマ窒化処理によるGeO2膜の膜質改善の検討

〇伊藤 圭佑¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム