[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-4] Au-PMAによるＧeO₂膜質及びＧeO₂/Ge界面特性の改善

〇結解 あかり¹、飯野 寛貴¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム系半導体