[10p-N401-1~10] 7.2 Applications and technologies of electron beams

△ [10p-N401-7] Resistance Improvement of Graphene-Oxide-Semiconductor Planar-Type Electron Sources Against Atomic Oxygen for Low Earth Orbit Applications

〇Naoyuki Matsumoto^1,2, Yoshinori Takao¹, Masayoshi Nagao², Katsuhisa Murakami² (1.YNU, 2.AIST)

Keywords:electron source, graphene, hexagonal boron nitride (h-BN)

平面型グラフェン電子源は，グラフェンを電極に用いることで高放出効率を実現した電子源である．地球低軌道を飛行する小型イオンスラスタの中和器などへの応用が期待されているが，実現にはデバイスの電子放出性能を維持しつつ酸素耐性を向上させる必要がある．今回，酸素耐性と電子透過性に優れる六方晶窒化ホウ素でデバイスのグラフェン電極を保護したところ，電子放出が確認できた上に酸素プラズマ照射への耐性向上に成功した．