2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2021年9月10日(金) 13:00 〜 17:00 S202 (口頭)

江藤 数馬(産総研)

13:15 〜 13:30

[10p-S202-2] AI技術を活用した6インチSiCバルク結晶の溶液成長

宇治原 徹1,2,3、朱 燦1、角岡 洋介1、鈴木 皓己1、郁 万成1、劉 欣博2、黨 一帆2、古庄 智明1、沓掛 健太朗1,3、原田 俊太1,2、田川 美穂1,2、阿部 舞4、田中 謙弥4 (1.名大未来研、2.名大工、3.理研AIP、4.日立金属)

キーワード:SiC、結晶成長

我々は溶液成長法による高品質SiC結晶成長技術の開発を長年行ってきた。その結果、転位密度が極めて低い高品質SiC結晶を実現してきた1。さらに、最近では6インチの大口径結晶成長にも成功している。本講演では、6インチの結晶成長の実現に至る経緯について報告する。